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 山東烈火激光測試技術

　　 激光三角测量术

　　微凸點晶圓的出現使測量和檢測技術面臨著巨大的挑戰，對該技術的最基本要求是任一可行的檢測技術必須能達到測量微凸點特征尺寸所需的分辨率和靈敏度。在50m節距上制作25m凸點的芯片技術，目前正在開發中，更小凸點直徑和更節距的技術也在發展中。另外，當單個芯片上凸點數量超過10000個時，晶圓檢測系統必須有能力來處理凸點數迅速增加的芯片和晶圓。分析軟件和計算機硬件必須擁有足夠高的性能來存儲和處理每個晶圓上所存在的數百萬個凸點的位置和形貌數據。

　　在激光三角檢測術中，用一精細聚焦的激光束來掃描圓片表面，光學系統將反射的激光聚焦到探測器。采用3D激光三角檢測術來檢測微凸點的形貌時，在精度、速度和可檢測性等方面，它具有明顯的優勢。

    颗粒测试

　　顆料控制是晶片加工過程、器件制造過程中重要的一個環節，而顆粒的監測也就顯得至關重要。顆粒測試設備的工作原理有兩種，一種爲光散射法；另一種爲消光法。

　　對于懸浮于氣體中的顆粒，通常采用光散射法進行測試，同時某些廠家利用這種工作原理生産了測試晶片表面顆粒的設備；而對于液體中的顆粒，這兩種方法均適用。

　　激光脈沖退火(LSA)技術

　　該技術通過一長波激光器産生的微細激光束掃描矽片表面，在一微秒甚至更短的作用時問內産生～個小尺寸的局域熱點。由于只有上表面的薄層被加熱，矽片的整體依然保持低溫，使得此表面層的降溫速率幾乎和它的升溫速率一樣快。從固體可溶性的角度考慮，高峰值溫度能夠激活更多的摻雜原子，此外正如65nm及以下工藝所求的那樣，較短的作用時間可以使摻雜原子的擴散降到最低。退火處理的作用範圍可以限制在矽片上的特定區域而不會影響到周圍部位。

　　該技術已經應用于多晶矽柵極的退火，在減少多晶矽的耗盡效應方面取得了顯著的效果。K.Adachi等將閃光燈退火和激光脈沖退火處理的MOS管的Ion/Ioff進行了比較，在pMOS-FET和nMOSFET中，采用激光脈沖退火處理的器件的漏極電流要大10%，器件性能的增強可以直接歸因于柵電極耗盡效應的改善和寄生電阻的減小